把 LED 電流加倍,光輸出通常不會永遠跟著加倍。當每單位電流所得到的光下降,就需要檢查效率下垂,也就是 efficiency droop;它與長期老化造成的光衰並不是同一件事。
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| 主題 | 重點說明 |
|---|---|
| 先分清電流下垂與熱下垂 | 電流下垂描述效率隨操作電流或載子密度上升而降低的現象;熱下垂則是溫度升高造成效率下降。實際燈具提高電流也會增加發熱,因此兩者常同時出現。 |
| ABC 模型提供什麼線索 | 常見簡化模型以 An 表示缺陷相關非輻射復合、Bn² 表示輻射復合、Cn³ 表示 Auger 類過程,輻射比例近似為 Bn²/(An+Bn²+Cn³)。當 n 很高,較高次方的損失項可能變得重要。 |
| 對燈具設計有什麼代價 | 假設某模組在 10 W 輸出 1,500 lm,在 20 W 輸出 2,400 lm,光量增加 60%,功率卻增加 100%;對應光效從 150 降為 120 lm/W。例子用來說明系統結果,不可單憑這兩點判定損失全來自晶片 droop。 |
| 規格應看整條曲線 | 比較產品時,至少確認光通量對電流、相對效率對電流與溫度條件。只看最大允許電流,不代表該點是效率最佳或最適合長期使用的位置。 |

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先分清電流下垂與熱下垂
電流下垂描述效率隨操作電流或載子密度上升而降低的現象;熱下垂則是溫度升高造成效率下降。實際燈具提高電流也會增加發熱,因此兩者常同時出現。要研究原因,需控制溫度或採適當脈衝量測,不能只比較剛開燈與熱機後的亮度。
ABC 模型提供什麼線索
常見簡化模型以 An 表示缺陷相關非輻射復合、Bn² 表示輻射復合、Cn³ 表示 Auger 類過程,輻射比例近似為 Bn²/(An+Bn²+Cn³)。當 n 很高,較高次方的損失項可能變得重要。
研究曾直接觀測到與 InGaN LED 效率下垂相關的 Auger 電子,提供重要實驗證據。研究:LED 中 Auger 電子的直接觀測 但這不代表所有晶片的下垂都只有單一機制;載子溢出、結構與缺陷也可能影響,單靠一條效率曲線無法唯一辨識原因。
對燈具設計有什麼代價
假設某模組在 10 W 輸出 1,500 lm,在 20 W 輸出 2,400 lm,光量增加 60%,功率卻增加 100%;對應光效從 150 降為 120 lm/W。例子用來說明系統結果,不可單憑這兩點判定損失全來自晶片 droop。
若改用更多 LED、讓每顆以較低電流運作,可能改善光效與熱分布,但會增加元件、面積與光學成本。是否划算要比較整體輸出、驅動效率與散熱空間。
規格應看整條曲線
比較產品時,至少確認光通量對電流、相對效率對電流與溫度條件。只看最大允許電流,不代表該點是效率最佳或最適合長期使用的位置。額定上限是邊界,最佳操作點要由設計需求決定。
調暗燈具一定會提升整燈光效嗎?
不一定。LED 本體可能在某範圍更有效率,但驅動器在低負載時可能效率下降。還要看調光方式與待機功耗,應以整燈實測判斷。


